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主要用于晶圓測(cè)試時(shí)實(shí)現(xiàn)測(cè)試機(jī)與被測(cè)裸片的電氣聯(lián)接，通過(guò)傳輸信號(hào)對(duì)芯片參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。

對(duì)封裝后的芯片顆粒進(jìn)行高低溫與大電流環(huán)境下的老化測(cè)試，在測(cè)試中對(duì)顆粒內(nèi)部缺陷進(jìn)行修復(fù)。融合高低溫、老化沖擊、功能測(cè)試等各項(xiàng)測(cè)試工藝，并對(duì)檢測(cè)出的不良進(jìn)行軟件算法修復(fù)，可以取代多道化統(tǒng)的品圓及封裝老化測(cè)試流程，實(shí)現(xiàn)高吞吐容量的電學(xué)性能與可靠性驗(yàn)證要求。

對(duì)封裝后的芯片顆粒進(jìn)行實(shí)際應(yīng)用條件下的功能指標(biāo)測(cè)試，對(duì)芯片施加輸入信號(hào)、采集輸出信號(hào)，并判斷芯片在不同工作條件下功能和性能的有效性，通過(guò)通信接 口將測(cè)試結(jié)果傳送給分選機(jī)，分選機(jī)據(jù)此對(duì)被測(cè)試芯片進(jìn)行標(biāo)記、分選等。